Lexar NM800 M.2 2280 PCIe Gen 4×4 NVMe固態(tài)硬盤夠以更快的速度載入和傳輸數(shù)據(jù),提供更強大的計算能力,旨在為游戲和硬盤發(fā)燒友提供更疾速的體驗,帶您馳騁于高達7400MB/s讀取速度,5800MB/s寫入速度1的高速通道。這是為游戲狂人打造,更是充分滿足各類高強度工作需求的專業(yè)固態(tài)硬盤。
采用PCIe Gen 4×4規(guī)格,支持NVMe1.4高速技術(shù)標準,讀取速度高達7400MB/s,寫入速度高達5800MB/s1,加速載入工作游戲,縮短開機速度,有效提高系統(tǒng)響應能力。升級到Lexar Professional NM800,相較于上一代PCIe Gen 3×4性能,速度提升約2.1倍3,性能更強勁,享受暢快體驗。
低密度奇偶校驗(LDPC)技術(shù)可以修復數(shù)據(jù)錯誤,提前杜絕減速的可能,讓數(shù)據(jù)傳輸更可靠。
NM800采用新一代12nm定制主控,相比于之前普遍使用的28nm工藝,可有效大幅降低工作功耗。專為高負載密集型工作用戶設(shè)計適配算法,在滿足用戶靈活使用需求的同時,提供更強大的計算能力。
自帶新一代復合材料散熱貼,全覆蓋主控與顆粒,始終控制工作溫度,馳騁戰(zhàn)場時也無需擔心固態(tài)硬盤高溫過載,保證長時間工作流暢。
所有Lexar雷克沙產(chǎn)品均通過準智能制造、高度自動化和信息化的設(shè)備生產(chǎn),且還會經(jīng)過雷克沙質(zhì)量實驗室的專業(yè)設(shè)備的大量測試。
Form Factor
M.2 2280
接口
PCIe Gen4x4
速度
1TB —順序讀取速度高達7400MB/s,寫入速度高達5800MB/s1
IOPS: up to R/W 400/750K
512GB —順序讀取速度高達7000MB/s,寫入速度高達3000MB/s1
IOPS: up to R/W 200/550K
工作溫度
0°C to 70°C (32°F to 158°F)
存儲溫度
-40°C to 85°C (-40°F to 185°F)
尺寸(長x寬x高)
80 x 22 x 2.45 mm / 3.15” x 0.87” x 0.10”
重量
9g
質(zhì)保
五年有限質(zhì)保
抗沖擊
1500G, 持續(xù)時間0.5ms, 半正弦波
抗震
10~2000Hz, 1.5mm, 20 G, 1 Oct/min, 30min/軸(X,Y,Z)
TBW
512GB: 1500TBW,1TB: 3000TBW
DWPD
0.44
NAND flash
3D TLC
MTBF
1,500,000 Hours
1 速度基于Lexar質(zhì)量實驗室測試,實際性能可能有所變化。
2抗沖擊(1500G,持續(xù)時間0.5ms,半正弦波)和抗震(10-2000Hz,1.5mm,20G,1 Oct/min,30min/軸(X、Y、Z))。基于內(nèi)部測試。實際性能可能有所變化。
3比較結(jié)果基于內(nèi)部測試。實際性能可能有所變化。
[注意:]
安全保護,按其性質(zhì)而言,是能夠回避的。Lexar 不保證數(shù)據(jù)將百分百不會遇到未經(jīng)授權(quán)的訪問、更改或毀壞。
實際可以使用的存儲容量可能有所不同。1GB等于10億字節(jié)。
產(chǎn)品外觀、速度性能、軟件產(chǎn)品和包裝可能因發(fā)貨日期和可供存貨而有所變化。
對產(chǎn)品中存儲的個人數(shù)據(jù)不承擔責任,請備份個人數(shù)據(jù)。
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